先为科技
为客户创造价值，成就客户
无锡先为科技有限公司(简称“先为科技”)成立于2020年12月，是一家化合物半导体外延设备的研发、制造与销售的创新型和科技型企业，为全球客户提供高端化合物半导体外延设备与服务，致力于成为世界上最好的化合物半导体装备公司。
60
%+
硕博研发占比
50
%+
研发人员占比
90
+
项专利申请
1
亿+
注册资本
30
年+
知名半导体设备研发经验
国内领先的GaN MOCVD、SiC Epi设备制造商
01.
技术特点
8英寸晶圆（兼容6英寸晶圆）MOCVD外延设备，适用于均匀性、颗粒度要求较高的工艺需求
独家专利的自公转基座和喷嘴技术，保证沉积的速率和均匀性
可同时搭载2个独立运行的外延腔室
正向研发、拥有自主可控的知识产权
集成自清洁功能，极大的降低COO
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GaN MOCVD
BrillMO系列金属有机化合物化学气相沉积镀膜系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。
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SiC Epi外延设备
BriSCore系列化学气相沉积镀膜系统采用创新的批量式腔体设计，可同时加工15片6英寸晶圆，适用于6英寸和8英寸碳化硅功率芯片的外延制造，具有产能表现优异,使用成本低等优势,为SiC外延加工提供优质的、有竞争力的量产解决方案。
GaN MOCVD BrillMO 系列
BrillMO系列金属有机化合物化学气相沉积镀膜系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。
GaN MOCVD
BrillMO 系列
SiC Epi
BriSCore 系列
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其它定制开发设备
公司以现有技术为基础，不断集聚半导体优秀人才，围绕国产化替代的战略需求，结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求，
为客户提供合作开发的服务，从而为客户提供全方位的解决方案。