技术特点
晶圆规格
2英寸、4英寸及6英寸
配置多样
可根据客户需要配置多路MO源，实现多元、n/p型多种材料的外延研发
生长质量高
生长温度可达1100 ℃（1300℃可选） ，AIGaN、 Ga2O3、 AIN生长质量高
浓度低
压/亚常压外延生长，碳杂质浓度低
温度均匀性
多区电阻加热，优异的温度均匀性
操作方便
设备结构紧凑，占地面积少，操作简便，维护方便
