2025年6月16日，无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。这是先为科技发展历程中的重要里程碑，也是公司在化合物半导体装备领域技术实力的集中体现。江苏省半导体行业协会秘书长秦舒、无锡市集成电路学会秘书长周德金、江南大学集成电路学院教授敖金平、先导集团董事长王燕清等嘉宾共同出席发货仪式并发表致辞。

先为科技此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备在设计上独具匠心，运用特有的温场和流场设计，不仅能实现高质量的成膜效果，为功率芯片、射频芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供坚实保障，而且在产能上表现卓越，能够大幅提升生产效率，同时有效降低了使用成本，为客户提供优异的GaN外延加工解决方案。

作为先为科技的创新之作，该设备通过潜心钻研的正向自主研发，具备完全的自主知识产权，能够有力地推动化合物半导体外延设备的国产自主化。此次 GaN MOCVD 外延设备的发货，不仅是先为科技自身发展的重大突破，更是先导集团在半导体领域“装备自主”战略推进的又一重要成果体现。

未来，先为科技将继续坚持以技术创新为核心的发展理念，与业界伙伴携手，为行业的升级与发展注入源源不断的创新活力，为半导体设备的国产自主化贡献力量。