12月3-4日，『2025行家说第三代半导体年会』“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳隆重举行。作为行业年度核心盛会，本届论坛汇聚全球产业链上下游精英，深度研判SiC与GaN技术演进方向，为产业高质量发展凝聚共识。在此次盛会上，先为科技凭借核心技术与优势产品脱颖而出，成功斩获“年度优秀产品奖项”殊荣，彰显国产半导体设备企业的硬核实力。

此次获奖的GaN MOCVD BrillMO外延设备，是先为科技深耕化合物半导体领域的核心产品，各项性能指标均达行业领先水平。该设备在设计与性能上均实现了重要突破，通过独特的温场与流场优化设计，不仅能实现高质量的成膜效果，也能为功率芯片、射频芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供坚实保障。在产能方面，BrillMO系列设备展现出卓越的生产效率，能够在保证工艺稳定性的前提下大幅提升生产效率，同时有效降低设备的使用成本，为客户提供了更具竞争力的GaN外延加工解决方案。

这一奖项的获得，不仅是对先为科技在GaN外延设备领域技术实力的高度认可，也体现了行业对先为持续推动设备国产化与工艺进步的肯定。作为国内化合物半导体设备领域的重要参与者，先为科技始终坚持自主创新，紧密围绕产业发展需求进行产品研发与优化，助力提升我国在第三代半导体产业链中的自主可控能力。 展望未来，先为科技将继续深耕化合物半导体装备领域，进一步加大研发投入，持续推出更多高性能、高可靠性的外延与关键工艺设备，为推动中国化合物半导体产业的高质量发展贡献力量。