先为科技
为客户创造价值，成就客户
无锡先为科技有限公司（简称"先为科技"）是一家致力于化合物半导体外延设备的研发、制造与销售的创新型和科技型企业，为全球客户提供高端化合物半导体外延设备与服务。
先为科技是先导集团在半导体产业的关键企业，公司依托集团在高端装备制造领域的深厚积累，在化合物半导体外延设备领域，拥有正向研发且知识产权自主可控的GaN MOCVD外延设备、SiC Epi外延设备，应用于功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生产制造，各项性能均达到行业领先水平，为客户提供高可靠性、高性能的量产外延装备及全生命周期解决方案。
60
%+
硕博研发占比
60
%+
研发人员占比
100
+
项专利申请
1
亿+
注册资本
30
年+
知名半导体设备研发经验
国内领先的GaN MOCVD、SiC Epi设备制造商
01.
技术特点
8英寸晶圆（兼容6英寸晶圆）MOCVD外延设备，适用于均匀性、颗粒度要求较高的工艺需求
拥有自主知识产权的温场与流场设计
可同时搭载2个独立运行的外延腔室
独家专利的自公转基座和喷嘴技术，保证沉积的速率和均匀性
集成自清洁功能，极大的降低制造成本
ATM MOCVD外延设备
02.
技术特点
2英寸、4英寸及6英寸
可根据客户需要配置多路MO源，实现多元、n/p型多种材料的外延研发
生长温度可达1100 ℃（1300℃可选） ，AIGaN、 Ga2O3、 AIN生长质量高
压/亚常压外延生长，碳杂质浓度低
多区电阻加热，优异的温度均匀性
设备结构紧凑，占地面积少，操作简便，维护方便
01
/03
GaN MOCVD
BrillMO系列金属有机化学气相沉积外延设备适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。
02
/03
ATM MOCVD
EliteMO系列适用于GaN LD、绿光到紫外LED，GaN电子器件、GaN基新结构材料、Ga2O3外延及AIN外延生长，提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案，赋能先进材料的外延研发与制造。
03
/03
SiC Epi外延设备
BriSC系列化学气相沉积外延设备适用于8英寸兼容6英寸的碳化硅功率芯片的外延制造。具有产能表现优异，使用成本低、外延质量稳定等优势，为SiC外延加工提供优质的量产解决方案，助力SiC功率芯片实现降本增效。
GaN MOCVD BrillMO 系列
BrillMO系列金属有机化合物化学气相沉积镀膜系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。
ATM MOCVD EliteMO 系列
晶圆规格2英寸、4英寸及6英寸
可根据客户需要配置多路MO源，实现多元、n/p型多种材料的外延研发
生长温度可达1100 ℃（1300℃可选） ，AIGaN、 Ga2O3、 AIN生长质量高
常压/亚常压外延生长，碳杂质浓度低
多区电阻加热，优异的温度均匀性
设备结构紧凑，占地面积少，操作简便，维护方便
GaN MOCVD
BrillMO 系列
ATM MOCVD
EliteMO 系列
SiC Epi
BriSC 系列
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其它定制开发设备
公司以现有技术为基础，不断集聚半导体优秀人才，围绕国产化替代的战略需求，结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求，
为客户提供合作开发的服务，从而为客户提供全方位的解决方案。